TM3DQ16T | شنايدر إلكتريك | وحدة إخراج منفصلة

الرئيسية

• نطاق المنتج: Modicon TM3

• نوع المنتج: وحدة مخرج منفصلة

• توافق النطاق:

• Modicon M241

• Modicon M251

• Modicon M221

• Modicon M262

• نوع المخرج: ترانزستور

• عدد المخرجات: 16

• منطق الخرج: منطق إيجابي (مصدر)

• جهد المخرج:24 فولت DC

• تيار الخرج: 500 مللي أمبير لكل خرج

مكمل

• عدد مداخل/مخارج منفصلة: 16

• استهلاك التيار عبر موصل الناقل:

• 15 مللي أمبير عند 5 فولت تيار مستمر

• 20 مللي أمبير عند 24 فولت تيار مستمر

• 5 مللي أمبير عند 5 فولت تيار مستمر

• 0 مللي أمبير عند 24 فولت تيار مستمر

• حالة الإيقاف:

• حالة التشغيل:

• زمن الاستجابة:

• 450 ميكروثانية (تشغيل)

• 450 ميكروثانية (إيقاف التشغيل)

• أقصى تيار تسرب:0.1 مللي أمبير

• هبوط الجهد: < 0.4 V

• أقصى حمل من التنجستن: < 3 واط

• الإشارة المحلية:

• LED أخضر واحد لكل قناة لحالة المخرج

• الاتصال الكهربائي:

• كتلة طرف برغي قابلة للإزالة 10 × 1.5 مم² (المسافة: 3.81 مم)

• أقصى مسافة كابل بين الأجهزة: < 30 م (غير محمي، مخرج ترانزستور)

• العزل:

• غير معزول بين المخارج

• معزول بين المخرج والمنطق الداخلي (تيار متردد)

• التمييز:CE

• دعم التثبيت:

• سكة TH35-15 أو TH35-7.5 على شكل قبعة علوية (IEC 60715)

• لوحة أو لوحة (مع مجموعة التثبيت)

• الأبعاد:

• الارتفاع: 90 مم

• العمق: 84.6 مم

• العرض: 27.4 مم

• الوزن الصافي:0.11 كجم

البيئة

• مطابقة المعايير: IEC 61131-2

• فئة الحماية: IP20 (مع تركيب الغطاء الواقي)

• درجة التلوث: 2

المقاومة الكهرومغناطيسية والبيئية

• التفريغ الكهروستاتيكي:

• 8 ك.ف (هواء)، 4 ك.ف (تلامس) حسب IEC 61000-4-2

• الحقول الكهرومغناطيسية:

• 10 فولت/م (80 ميجاهرتز–1 جيجاهرتز)

• 3 فولت/م (1.4–2 جيجاهرتز)

• 1 فولت/م (2–3 جيجاهرتز) حسب IEC 61000-4-3

• الحقول المغناطيسية: 30 أ/م عند 50/60 هرتز حسب IEC 61000-4-8

• الانتقالات السريعة: 1 كيلو فولت (I/O) حسب IEC 61000-4-4

• حماية من الارتفاعات المفاجئة: 1 كيلو فولت وضع مشترك (I/O) حسب IEC 61000-4-5 DC

• الاضطرابات الموصولة:

• 10 فولت (0.15–80 ميجاهرتز) حسب IEC 61000-4-6

• 3 فولت تردد موضعي (مواصفات بحرية: LR, ABS, DNV, GL)

• انبعاثات كهرومغناطيسية (IEC 55011):

• 40 ديسيبل ميكروفولت/م QP (الفئة A) عند 30–230 ميجاهرتز

• 47 ديسيبل ميكروفولت/م QP (الفئة A) عند 230–1000 ميجاهرتز

ظروف التشغيل

• درجة حرارة التشغيل:

• –10 إلى 35 °م (تركيب عمودي)

• –10 إلى 55 °م (تركيب أفقي)

• درجة حرارة التخزين: –25 إلى 70 °م

• الرطوبة النسبية:

• 10–95% (تشغيل، بدون تكاثف)

• 10–95% (تخزين، بدون تكاثف)

• ارتفاع التشغيل: 0–2000 م

• ارتفاع التخزين: 0–3000 م

المقاومة الميكانيكية

• مقاومة الاهتزاز:

• 3.5 مم (5–8.4 هرتز)

• 3 gn (8.4–150 هرتز)

• 3.5 مم (5–8.4 هرتز)

• 3 gn (8.4–150 هرتز)

• سكة DIN:

• تركيب على اللوحة:

• مقاومة الصدمات: 15 gn لمدة 11 مللي ثانية