Das ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 ist ein IGCT-Modul (Integrated Gate-Commutated Thyristor), das für Hochleistungsschaltanwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde.
Zu den wichtigsten technologischen Merkmalen gehören:
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GTO-Struktur: IGCT verfügt über eine Thyristorstruktur ähnlich der GTO und bietet hohe Stromverarbeitungsfähigkeiten.
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Integrierte Gate-Struktur: Dieses Design ermöglicht im Gegensatz zu herkömmlichen Thyristoren eine Gate-Steuerung zum Ausschalten.
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Transparenter Pufferschicht- und Anoden-Emitter: Die Einführung von transparenten Pufferschicht- und Anoden-Emitter-Technologien verbessert die Schaltleistung und reduziert Abschaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen GTOs.
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Kombinierte Eigenschaften: Dadurch bietet IGCT sowohl die hohe Durchlassstromkapazität von Thyristoren als auch die steuerbare Abschaltfähigkeit von Transistoren, wodurch sie für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Frequenz und hoher Leistung geeignet sind .
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