Զտել և տեսակավորել
Special Offers
-
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 88984-02 Ներածման ռելեային ընտրանքային քարտ
Վաճառքի գին $600.00Սովորական գին $620.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-06-06-05 Երկկողմանի մուտք ProTIM-R մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-02-02-CN Երկկողմանի մուտք ProTIM-R մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-03-03-05 վիճակի մոնիթորինգի մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00
-
Վաճառող: ABB
ABB 64717839 IGBT MODULE+DRIVE FS300R17KE3/AGDR-66C S
Վաճառքի գին $550.00Սովորական գին $570.00Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID: 64717839 ABB տեսակի նշում՝ IGBT MODULE+DRIVE FS300R17KE3/AGDR-66C S Կատալոգի նկարագրություն. IGBT MODULE+DRIVE FS300R17KE3/AGDR-66C S; IGBT KIT Երկար նկարագրություն. IGBT MODULE+DRIVE FS300R17KE3/AGDR-66C S Պատվերների մասին տեղեկություններ Հիմնական վարկ: 0.00 Ծագման երկիր՝ Էստոնիա (EE)... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SXE04-0150 3BHB003154R0101 3BHL000390P0104 IGCT մոդուլի տախտակ
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00ABB IGCT Module Board-ի ակնարկ. Արտադրող: ABB Ապրանք: IGCT մոդուլի տախտակ (IGCT նշանակում է Insulated-Gate Commutated Thyristor) Վիճակը: Լրիվ նոր և պահեստում Չափերը: 35 սմ x 29 սմ x 6,5 սմ Քաշը: 2,56 կգ Երաշխիք: 12... -
Վաճառող: ABB
3BHB013088R0001 | ABB 5SHY 3545L0010 IGCT ՄՈԴՈՒԼ
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00ABB 3BHB013088R0001 5SHY3545L0010 IGCT ՄՈԴՈՒԼ Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID. 3BHB013088R0001 ABB տեսակի նշանակում. 5SHY 3545L0010 Կատալոգի նկարագրություն. IGCT ՄՈԴՈՒԼ Երկար նկարագրություն. 5SHY 3545L0010 լրացուցիչ տեղեկություն ABB տեսակի նշանակում. 5SHY 3545L0010 Հիմնական վարկ. 0.00 Ծագման երկիր՝ Շվեյցարիա... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 IGCT ՄՈԴՈՒԼ
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166-ը IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) մոդուլ է, որը նախատեսված է էներգիայի էլեկտրոնիկայի մեջ բարձր էներգիայի անջատման կիրառումների համար: Հիմնական տեխնոլոգիական առանձնահատկությունները ներառում են. GTO կառուցվածք. IGCT-ն ներառում է GTO-ին նման տիրիստորի կառուցվածք, որն... -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHE014105R0001 5SHX26L4510 5SXE05-0154 Reverse Conducting IGCT մոդուլ
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00Ընդհանուր ակնարկ. Reverse Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor Անջատման բարձր վարկանիշ Օպտիմիզացված է միջին հաճախականության ( Բարձր հուսալիություն և էլեկտրամագնիսական իմունիտետ Պարզ կառավարման ինտերֆեյս կարգավիճակի հետադարձ կապով AC կամ DC մատակարարման լարումը Սերիայի միացման համար դիմեք գործարան... -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHB003230R0101 3BHL000392P0101 IGCT ՄՈԴՈՒԼ 5SHX 1060H0001
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00ACS1000 3BHL000392P0101 IGCT MODULE 5SHX 1060H0001 հզորության էլեկտրոնային կառավարման առաջադեմ մոդուլ է, որը մշակվել է ABB-ի կողմից բարձր լարման, բարձր էներգիայի կիրառման համար: Այն միավորում է ABB-ի լայնածավալ տեխնիկական փորձը ուժային էլեկտրոնիկայի և կառավարման ոլորտում՝ օգտվողներին...
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) և IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) երկուսն էլ էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են տարբեր էլեկտրական ծրագրերում, ներառյալ ուժային էլեկտրոնիկան, շարժիչային շարժիչները, վերականգնվող էներգիայի համակարգերը և արդյունաբերական ավտոմատացումը: Ահա յուրաքանչյուրի համառոտ ակնարկը.
-
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):
- IGCT-ն թրիստորի տեսակ է, որը միավորում է թրիստորների և IGBT-ների առավելությունները:
- Այն ունի բարձր արգելափակման լարման հնարավորություն, որը նման է թրիստորներին և արագ անջատման հնարավորություն, որը նման է IGBT-ներին:
- IGCT-ները օգտագործվում են բարձր հզորության ծրագրերում, որտեղ պահանջվում են ինչպես բարձր լարման, այնպես էլ բարձր հոսանքի բեռնաթափման հնարավորություններ:
- Դրանք սովորաբար օգտագործվում են այնպիսի ծրագրերում, ինչպիսիք են HVDC (Բարձր լարման ուղղակի հոսանքի) փոխանցման համակարգերը, արդյունաբերական շարժիչների շարժիչները և բարձր հզորության ինվերտորները:
-
IGBT (մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստոր):
- IGBT-ն տրանզիստորի տեսակ է, որը միավորում է MOSFET-ների (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) և երկբևեռ միացման տրանզիստորների (BJT) առավելությունները:
- Այն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ինչպես MOSFET-երը և բարձր հոսանք կրելու հնարավորություն, ինչպիսին է BJT-ը:
- IGBT-ները լայնորեն օգտագործվում են միջինից բարձր հզորության ծրագրերում, ինչպիսիք են շարժիչային շարժիչները, անխափան սնուցման աղբյուրները (UPS), վերականգնվող էներգիայի համակարգերը (օրինակ՝ արևային ինվերտորները և հողմային տուրբինի փոխարկիչները) և էլեկտրական տրանսպորտային միջոցները:
- Դրանք նախընտրելի են այնպիսի ծրագրերի համար, որտեղ կարևոր են արագ միացման արագությունները, բարձր արդյունավետությունը և բարձր հուսալիությունը:
Ամփոփելով, IGCT-ները և IGBT-ները երկուսն էլ էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են էլեկտրական ծրագրերում, բայց դրանք ունեն տարբեր բնութագրեր և հարմար են տարբեր տեսակի ծրագրերի համար՝ ելնելով իրենց հատուկ կատարողական հնարավորություններից: