Զտել և տեսակավորել
Special Offers
-
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 88984-02 Ներածման ռելեային ընտրանքային քարտ
Վաճառքի գին $600.00Սովորական գին $620.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-06-06-05 Երկկողմանի մուտք ProTIM-R մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-02-02-CN Երկկողմանի մուտք ProTIM-R մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-03-03-05 վիճակի մոնիթորինգի մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00
-
Վաճառող: ABB
ABB BGAD-01C 3AUA0000078108 Communication Adapter Module
Վաճառքի գին $1,000.00Սովորական գին $1,200.00Description The ABB BGAD-01C (3AUA0000078108) is a robust communication adapter module designed for industrial automation. It facilitates seamless data exchange between PLCs, HMIs, and control devices, ensuring reliable system integration and high-speed communication. Specifications Model Number:... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY3545L0016 3BHB020720R0002 4500V IGCT Module
Վաճառքի գին $560.00Սովորական գին $600.00Description The ABB 5SHY3545L0016 (catalog number 3BHB020720R0002) is a high-voltage Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) module designed for demanding industrial applications. It delivers efficient switching, low conduction loss, and long-term reliability in HVDC, FACTS, and medium-voltage drive... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY3545L0006 4500V Asymmetric IGCT Module
Վաճառքի գին $1,560.00Սովորական գին $1,600.00Description The ABB 5SHY3545L0006 is an asymmetric Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) module designed for high-voltage, high-current industrial applications. It delivers fast switching, low conduction loss, and robust performance in demanding environments such as HVDC systems and... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY55L4500 Asymmetric Thyristor IGCT Module
Վաճառքի գին $560.00Սովորական գին $600.00General Information Product ID: 5SHY55L4500 ABB Type Designation: 4500V 5000A Catalog Description: Asymmetric Thyristor IGCT Long Description: Integrated Gate-Commutated Thyristor, asymmetric, VDRM = 4500 V, ITGQM = 5000 A, mounting force 40 kN Part Type: New Product Name: Control System Accessory Seller... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY65L4510 AC10272001R0101 4500V Asymmetric IGCT Module
Վաճառքի գին $560.00Սովորական գին $600.00Description The ABB 5SHY65L4510 AC10272001R0101 is an asymmetric Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) module engineered for high-power industrial applications. It delivers fast switching, low conduction loss, and robust performance in demanding electrical environments. Specifications Model Number: 5SHY65L4510... -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHE014105R0001 5SHY3545L0020 5SXE05-0154 IGCT մոդուլ（副本）
Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00Նկարագրություն ABB 3BHE014105R0001 5SHY3545L0020 5SXE05-0154–ը բարձր կատարողականությամբ IGCT մոդուլի հավաքածու է, որը նախատեսված է միջին լարման արդյունաբերական կիրառությունների համար։ Այն ապահովում է արագ անջատում, բարձր հոսանքի հզորություն և ամուր հուսալիություն պահանջկոտ էներգետիկ միջավայրերում։ Տեխնիկական բնութագրեր IGCT...
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) և IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) երկուսն էլ էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են տարբեր էլեկտրական ծրագրերում, ներառյալ ուժային էլեկտրոնիկան, շարժիչային շարժիչները, վերականգնվող էներգիայի համակարգերը և արդյունաբերական ավտոմատացումը: Ահա յուրաքանչյուրի համառոտ ակնարկը.
-
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):
- IGCT-ն թրիստորի տեսակ է, որը միավորում է թրիստորների և IGBT-ների առավելությունները:
- Այն ունի բարձր արգելափակման լարման հնարավորություն, որը նման է թրիստորներին և արագ անջատման հնարավորություն, որը նման է IGBT-ներին:
- IGCT-ները օգտագործվում են բարձր հզորության ծրագրերում, որտեղ պահանջվում են ինչպես բարձր լարման, այնպես էլ բարձր հոսանքի բեռնաթափման հնարավորություններ:
- Դրանք սովորաբար օգտագործվում են այնպիսի ծրագրերում, ինչպիսիք են HVDC (Բարձր լարման ուղղակի հոսանքի) փոխանցման համակարգերը, արդյունաբերական շարժիչների շարժիչները և բարձր հզորության ինվերտորները:
-
IGBT (մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստոր):
- IGBT-ն տրանզիստորի տեսակ է, որը միավորում է MOSFET-ների (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) և երկբևեռ միացման տրանզիստորների (BJT) առավելությունները:
- Այն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ինչպես MOSFET-երը և բարձր հոսանք կրելու հնարավորություն, ինչպիսին է BJT-ը:
- IGBT-ները լայնորեն օգտագործվում են միջինից բարձր հզորության ծրագրերում, ինչպիսիք են շարժիչային շարժիչները, անխափան սնուցման աղբյուրները (UPS), վերականգնվող էներգիայի համակարգերը (օրինակ՝ արևային ինվերտորները և հողմային տուրբինի փոխարկիչները) և էլեկտրական տրանսպորտային միջոցները:
- Դրանք նախընտրելի են այնպիսի ծրագրերի համար, որտեղ կարևոր են արագ միացման արագությունները, բարձր արդյունավետությունը և բարձր հուսալիությունը:
Ամփոփելով, IGCT-ները և IGBT-ները երկուսն էլ էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են էլեկտրական ծրագրերում, բայց դրանք ունեն տարբեր բնութագրեր և հարմար են տարբեր տեսակի ծրագրերի համար՝ ելնելով իրենց հատուկ կատարողական հնարավորություններից: