Զտել և տեսակավորել
Special Offers
-
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 3300/50-01-00-00-00 3300 թախոմետր մոնիտոր մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 3300/55-01-04-01-01 Ռելեյի Մոդուլ
Վաճառքի գին $750.00Սովորական գին $780.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 3300/12-01-20-00 Էներգամատակարարման մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 200200-01-01-05 Trendmaster proTim-R Ներմուծման Մոդուլ
Վաճառքի գին $650.00Սովորական գին $670.00
-
Վաճառող: ABB
ABB 3BHE009681R0101 3BHB01296R0001 5SHX2645L0002 IGCT մոդուլ
Վաճառքի գին $1,560.00Սովորական գին $1,600.00Նկարագրություն Այս ABB մոդուլները նախագծված են բարձր հզորության փոխարկման և կառավարման համար արդյունաբերական ավտոմատացման, էներգիայի փոխարկման և ծանր էլեկտրական համակարգերի մեջ։ Դրանք համատեղում են առաջադեմ կիսահաղորդչային տեխնոլոգիան և ամուր կառուցվածքը՝ ապահովելու հուսալի աշխատանք պահանջկոտ միջավայրերում։ Տեխնիկական... -
Վաճառող: ABB
BGAD-21C | ABB | IGBT Module Kit
Վաճառքի գին $1,000.00Սովորական գին $1,200.00General Information Manufacturer: ABB Product No.: BGAD-21C Product Type: IGBT Module Kit Spare Type: IGBT Module Product Range: Drive spares Compatibility Compatible Drive Family: ACS880-104 Compatible Frame Size: ACS880-104 R8i Dimensions & Weight Product Weight: 1.706 kg Shipping Weight: 3 kg -
Վաճառող: ABB
ABB 5STP28L4200 Phase Control Thyristor
Վաճառքի գին $540.00Սովորական գին $560.00General Information Product ID: 5STP28L4200 ABB Type Designation: 2800A / 4200V Catalog Description: Phase Control Thyristor (PCT) Long Description: Phase Control Thyristor rated at VRRM 4200 V and ITAVM = 2800 A, featuring patented free-floating silicon technology, low switching losses,... -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHL000397P0001 5SDF0860H0003 Semiconductor Diode
Վաճառքի գին $540.00Սովորական գին $560.00General Information Product ID: 3BHL000397P0001 ABB Type Designation: 68MM/6kV 5SDF0860H0003 Catalog Description: 68MM/6kV 5SDF0860H0003; Diode Long Description: High-voltage diode, 68 mm, 6 kV Product Type: Semiconductor Diode Part Type: New Replaced Product ID: HL000397P0001 Made To Order: No Minimum Order Quantity: 1 piece Order Multiple: 1... -
Վաճառող: ABB
ABB BGAD-11C 3AUA0000112490 Adapter Board
Վաճառքի գին $1,000.00Սովորական գին $1,200.00General Information Product ID: 3AUA0000112490 ABB Type Designation: BGAD-11C Catalog Description: BGAD-11C; PCB Long Description: BGAD-11C Product Type: PCB / Adapter Board Part Type: New Made To Order: No Minimum Order Quantity: 1 piece Order Multiple: 1 piece Selling Unit of Measure: Piece Quote Only: No Ordering... -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHX14H4502 Integrated Gate-Commutated Thyristor Module
Վաճառքի գին $4,800.00Սովորական գին $5,000.00Description The ABB 5SHX14H4502 is a reverse-conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) module designed for high-efficiency power conversion in demanding industrial environments. It integrates a thyristor and diode in a single housing for compact, high-current switching. Specifications...
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) և IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) երկուսն էլ էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են տարբեր էլեկտրական ծրագրերում, ներառյալ ուժային էլեկտրոնիկան, շարժիչային շարժիչները, վերականգնվող էներգիայի համակարգերը և արդյունաբերական ավտոմատացումը: Ահա յուրաքանչյուրի համառոտ ակնարկը.
-
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):
- IGCT-ն թրիստորի տեսակ է, որը միավորում է թրիստորների և IGBT-ների առավելությունները:
- Այն ունի բարձր արգելափակման լարման հնարավորություն, որը նման է թրիստորներին և արագ անջատման հնարավորություն, որը նման է IGBT-ներին:
- IGCT-ները օգտագործվում են բարձր հզորության ծրագրերում, որտեղ պահանջվում են ինչպես բարձր լարման, այնպես էլ բարձր հոսանքի բեռնաթափման հնարավորություններ:
- Դրանք սովորաբար օգտագործվում են այնպիսի ծրագրերում, ինչպիսիք են HVDC (Բարձր լարման ուղղակի հոսանքի) փոխանցման համակարգերը, արդյունաբերական շարժիչների շարժիչները և բարձր հզորության ինվերտորները:
-
IGBT (մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստոր):
- IGBT-ն տրանզիստորի տեսակ է, որը միավորում է MOSFET-ների (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) և երկբևեռ միացման տրանզիստորների (BJT) առավելությունները:
- Այն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ինչպես MOSFET-երը և բարձր հոսանք կրելու հնարավորություն, ինչպիսին է BJT-ը:
- IGBT-ները լայնորեն օգտագործվում են միջինից բարձր հզորության ծրագրերում, ինչպիսիք են շարժիչային շարժիչները, անխափան սնուցման աղբյուրները (UPS), վերականգնվող էներգիայի համակարգերը (օրինակ՝ արևային ինվերտորները և հողմային տուրբինի փոխարկիչները) և էլեկտրական տրանսպորտային միջոցները:
- Դրանք նախընտրելի են այնպիսի ծրագրերի համար, որտեղ կարևոր են արագ միացման արագությունները, բարձր արդյունավետությունը և բարձր հուսալիությունը:
Ամփոփելով, IGCT-ները և IGBT-ները երկուսն էլ էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են էլեկտրական ծրագրերում, բայց դրանք ունեն տարբեր բնութագրեր և հարմար են տարբեր տեսակի ծրագրերի համար՝ ելնելով իրենց հատուկ կատարողական հնարավորություններից: