Scheda amplificatore di impulso di gate GE IS200EHPAG1ADC

Descrizione

Il GE IS200EHPAG1ADC è una scheda amplificatrice di impulsi di gate progettata per i sistemi di eccitazione GE EX2100. Controlla con precisione i raddrizzatori controllati al silicio (SCR) amplificando gli impulsi di gate con alta accuratezza. La scheda riceve comandi dalla scheda logica ESEL e li converte in segnali di attivazione affidabili. Inoltre, monitora la conduzione degli SCR utilizzando un feedback in tempo reale per migliorare la sicurezza e le prestazioni del sistema.

Specifiche

• System Compatibility: GE EX2100 excitation systems.

• Power Supply: Operates at 24 VDC nominal input, accepts 10 VDC to 30 VDC.

• Power Consumption: 8 W, depending on load.

• Communication Protocols: Supports RS-232, RS-485, Modbus RTU/ASCII, and redundant Ethernet (IONet).

• Ingressi segnale:

  • Tensione: ±5V, ±10V, 0–5V, 0–10V.

  • Corrente: 0–20mA, 4–20mA.

• Prestazioni:

  • Conversione A/D ad alta risoluzione a 16 bit o 24 bit.

  • Precisione: ±0,1% della scala completa o migliore.

  • Campionamento rapido: da 10 ms a 20 ms per canale o più veloce.

• Isolation: 1500 VDC (channel-to-channel and channel-to-earth).

• Valutazioni Ambientali:

  • Operating Temperature: −40°C to +70°C.

  • Storage Temperature: −40°C to +85°C.

  • Humidity: 5% to 95%, non-condensing.

Caratteristiche

• Amplificazione precisa degli impulsi di gate per un funzionamento stabile del SCR.

• Monitoraggio avanzato del feedback di conduzione per una maggiore sicurezza del sistema.

• L'elaborazione del segnale ad alta risoluzione garantisce un controllo affidabile dell'eccitazione.

• Isolamento integrato per una migliore protezione elettrica.

• Integrazione senza soluzione di continuità con i sistemi di controllo di eccitazione GE EX2100.