O ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 é um módulo IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor), projetado para aplicações de comutação de alta potência em eletrônica de potência.
Os principais recursos tecnológicos incluem:
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Estrutura GTO: IGCT incorpora uma estrutura de tiristor semelhante ao GTO, fornecendo capacidade de manipulação de altas correntes.
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Estrutura de Gate Integrada: Este design permite o controle do gate para desligamento, ao contrário dos tiristores convencionais.
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Camada de buffer e emissor transparente de ânodo: A introdução de tecnologias de camada de buffer e emissor transparente de ânodo melhora o desempenho de comutação e reduz as perdas de desligamento em comparação com GTOs tradicionais.
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Características combinadas: Como resultado, o IGCT oferece tanto a alta capacidade de corrente no estado dos tiristores quanto a capacidade controlável de desligamento dos transistores, tornando-os adequados para aplicações de média a alta frequência e alta potência. .
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