เอบีบี

คุณสมบัติ: จ่ายไฟให้กับโมดูลควบคุมกระบวนการต่างๆ นำเสนอพลังงานที่ปรับขนาดได้สำหรับฟังก์ชันลอจิกและ I/O แชร์เอาต์พุตระหว่างโมดูลทั้งหมด ระบบไฟฟ้าแบบแยกส่วน Bailey Infi 90 จ่ายไฟ (+5V, +15V, -15V และ +24VDC) เพื่อประมวลผลโมดูลควบคุมและอุปกรณ์ยุติภาคสนาม ประกอบด้วยแผงทางเข้าพลังงาน ส่วนประกอบพัดลม โมดูลจ่ายไฟ ชุดติดตั้ง บัสบาร์ และสายไฟที่เกี่ยวข้อง โมดูลจ่ายไฟเหล่านี้ให้พลังงานที่ปรับขนาดได้สำหรับฟังก์ชันลอจิกและ I/O พร้อมระบบสำรอง N+1 ภายใต้โครงการสำรองนี้ โมดูลจ่ายไฟจะแบ่งเอาต์พุตเท่าๆ กัน ในกรณีที่โมดูลล้มเหลว โมดูลที่เหลือจะปรับเอาต์พุตเพื่อรักษาโหลดของระบบทั้งหมด ดังนั้น ความซ้ำซ้อนสามารถทำได้ด้วยโมดูลเพิ่มเติมหนึ่งโมดูลที่เกินข้อกำหนดขั้นต่ำในการจ่ายไฟให้กับระบบ Bailey IIMCP02 โมดูลตัวประมวลผลการสื่อสาร...

  ข้อมูลทางเทคนิค: แรงดันไฟฟ้าขาเข้า: 120VAC หรือ 240VACความถี่อินพุต: 47-63 เฮิรตซ์แรงดันขาออก: +5VDC, +/-15VDC, 24VDCกระแสไฟขาออก: +5VDC: 3.0A +/-15VDC 24VDC: 1.7 ขนาด: 3.6x35.5x17.7ซม 1.15กก

ABB 3BHB013088R0001 5SHY3545L0010 โมดูล IGCT ข้อมูลทั่วไป รหัสผลิตภัณฑ์: 3BHB013088R0001 การกำหนดประเภท ABB: 5SHY 3545L0010 คำอธิบายแคตตาล็อก: IGCT MODULE คำอธิบายแบบยาว: 5SHY 3545L0010 ข้อมูลเพิ่มเติม การกำหนดประเภท ABB: 5SHY 3545L0010 เครดิตหลัก: 0.00 ประเทศต้นกำเนิด: สวิตเซอร์แลนด์ (CH), ฟินแลนด์ (FI) หมายเลขพิกัดศุลกากร: 85413000 น้ำหนักรวม : 3.396 กก...

ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 เป็นโมดูล IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานสวิตช์กำลังสูงในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง คุณสมบัติทางเทคโนโลยีที่สำคัญ ได้แก่ : โครงสร้าง GTO: IGCT รวมโครงสร้างไทริสเตอร์ที่คล้ายกับ GTO ไว้ด้วยกัน ทำให้มีความสามารถในการจัดการกระแสไฟฟ้าสูง โครงสร้างเกตแบบรวม: การออกแบบนี้ช่วยให้สามารถควบคุมการปิดประตูได้ ซึ่งแตกต่างจากไทริสเตอร์ทั่วไป ชั้นบัฟเฟอร์และตัวส่งสัญญาณโปร่งใสของขั้วบวก: การแนะนำเทคโนโลยีชั้นบัฟเฟอร์และตัวส่งสัญญาณโปร่งใสขั้วบวกช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและลดการสูญเสียการปิดเครื่องเมื่อเปรียบเทียบกับ GTO แบบดั้งเดิม ลักษณะรวม: ด้วยเหตุนี้ IGCT จึงมีทั้งความจุกระแสไฟในสถานะที่สูงของไทริสเตอร์และความสามารถในการปิดที่ควบคุมได้ของทรานซิสเตอร์ ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีความถี่ปานกลางถึงสูงและมีกำลังสูง .

ภาพรวม: ไทริสเตอร์แบบสับเปลี่ยนเกตแบบย้อนกลับแบบย้อนกลับ อัตราการปิดเครื่องแบบไม่มี Snubberless สูง ปรับให้เหมาะสมสำหรับความถี่ปานกลาง ( ความน่าเชื่อถือสูงและภูมิคุ้มกันแม่เหล็กไฟฟ้า อินเทอร์เฟซการควบคุมที่เรียบง่ายพร้อมการตอบรับสถานะ แรงดันไฟฟ้า AC หรือ DC ติดต่อโรงงานเพื่อขอการเชื่อมต่อแบบอนุกรม ข้อมูลจำเพาะ: ผู้ผลิต: ABB Switzerland Ltd. เซมิคอนดักเตอร์ประเภทผลิตภัณฑ์: ไทริสเตอร์แบบสับเปลี่ยนเกตแบบย้อนกลับ (RC-IGCT)รหัสผลิตภัณฑ์: แข็งแกร่ง>5SHX 26L4510 การปิดกั้น: แรงดันไฟฟ้านอกสถานะยอดซ้ำ (VDRM): 4500 V แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงถาวรสำหรับอัตราความล้มเหลว 100 FIT ของ RC-GCT (ลิงค์ VDC):...

เอซีเอส1000 3BHL000392P0101 IGCT MODULE 5SHX 1060H0001 เป็นโมดูลควบคุมอิเล็กทรอนิกส์กำลังขั้นสูงที่พัฒนาโดย ABB สำหรับการใช้งานไฟฟ้าแรงสูงและกำลังสูง โดยผสานรวมความเชี่ยวชาญด้านเทคนิคที่กว้างขวางของ ABB ในด้านอิเล็กทรอนิกส์กำลังและการควบคุม เพื่อให้ผู้ใช้ได้รับโซลูชันการควบคุมพลังงานที่มีประสิทธิภาพและมีเสถียรภาพ โมดูล IGCT นี้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยม สามารถทำงานได้อย่างเสถียรภายใต้สภาวะไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟฟ้าแรงสูง ทำให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือและความปลอดภัยของระบบไฟฟ้า เทคโนโลยีไทริสเตอร์ปิดประตู (IGCT) ในตัวช่วยให้ตอบสนองได้รวดเร็วและสูญเสียน้อยในระหว่างกระบวนการสวิตชิ่ง จึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน นอกจากนี้ โมดูลยังใช้การออกแบบระบายความร้อนขั้นสูงและเทคโนโลยีการกระจายความร้อนเพื่อควบคุมอุณหภูมิอย่างมีประสิทธิภาพระหว่างการทำงานที่ใช้พลังงานสูง ป้องกันความร้อนสูงเกินไป นอกจากนี้ยังมีกลไกการป้องกันที่ครอบคลุม รวมถึงการป้องกันกระแสไฟเกินและการป้องกันความร้อนเกิน เพื่อตัดไฟอย่างรวดเร็วในกรณีที่มีสภาวะผิดปกติ ปกป้องอุปกรณ์และระบบความปลอดภัยของ ฟังก์ชัน: บอร์ดมีหน้าที่รับผิดชอบในการจัดการแหล่งจ่ายไฟของโมดูล IGCT เพื่อให้แน่ใจว่าได้รับระดับแรงดันและกระแสที่ถูกต้องเพื่อการทำงานที่มีประสิทธิภาพ โดยเฉพาะ 3BHB003230R0101 ควบคุมแหล่งจ่ายไฟของโมดูล...