GE Fanuc IC660EBA103 Bộ lắp ráp điện tử khối Genius I/O

Mô tả

GE IC660EBA103 là một mô-đun lắp ráp điện tử được sử dụng trong hệ thống Genius I/O. Nó kết hợp với đế đầu cuối IC660TBA103 để tạo thành một khối đầu vào nhiệt điện trở 6 kênh, được thiết kế để đo nhiệt độ chính xác và điều khiển cấp công nghiệp trong các môi trường tự động hóa phân tán.

Thông số kỹ thuật

• Mã mẫu: IC660EBA103

• Dòng sản phẩm: Lắp ráp điện tử khối Genius I/O

• Đế đầu cuối tương thích: IC660TBA103

• Lắp ráp khối tương thích: IC660BBA103 (Khối nhiệt điện trở 115 VAC / 125 VDC)

• Kênh đầu vào: 6 đầu vào tương thích nhiệt điện trở, nhóm thành 3 cặp

• Điện áp hoạt động danh định: 115 VAC / 125 VDC

• Phạm vi điện áp cung cấp: 93–132 VAC (47–63 Hz), 105–145 VDC với dao động 10%

• Cách ly nhóm với nhóm: 300 V RMS

• Cách ly khối với khối: 1500 V trong 1 phút

• Tỏa nhiệt: Tối đa 9 Watt

• Nhiệt độ hoạt động: 0°C đến 60°C

• Nhiệt độ lưu trữ: –40°C đến 100°C

• Phạm vi độ ẩm: 5% đến 95% không ngưng tụ

• Khả năng chịu rung: 5–10 Hz với dịch chuyển 0.2", 10–200 Hz

• Đèn LED chỉ báo: Đơn vị OK, I/O được kích hoạt

• Trọng lượng: Khoảng 1.8 kg

• Trạng thái vòng đời: Ngừng sản xuất (hỗ trợ di sản có sẵn)

Tính năng

• Hỗ trợ đầu vào nhiệt điện trở: Xử lý sáu đầu vào để giám sát nhiệt độ chính xác

• Tích hợp mô-đun: Dễ dàng kết hợp với đế đầu cuối Genius I/O để triển khai mở rộng

• Cách ly điện áp cao: Đảm bảo hoạt động an toàn trong môi trường cấp công nghiệp

• Đèn LED chẩn đoán: Cung cấp phản hồi trực quan về trạng thái đơn vị và hoạt động I/O

• Khả năng chịu môi trường bền bỉ: Hoạt động tin cậy dưới điều kiện nhiệt độ và rung động rộng

• Tương thích hệ thống di sản: Lý tưởng để duy trì các cài đặt Genius I/O hiện có

• Thiết kế cấp công nghiệp: Xây dựng cho độ bền và hiệu suất lâu dài trong môi trường khắc nghiệt

• Hỗ trợ giao thức Genius: Giao tiếp liền mạch trong mạng LAN Genius