Bảng Khuếch Đại Xung Cổng GE IS200EHPAG1DC

Mô tả

Bo mạch GE IS200EHPAG1DCB là một Bo mạch khuếch đại xung kích hoạt cổng được thiết kế cho hệ thống kích thích GE EX2100. Nó đảm bảo kiểm soát chính xác các Silicon-Controlled Rectifiers (SCR) bằng cách khuếch đại các xung kích hoạt cổng từ bo mạch logic ESEL. Bo mạch này đóng vai trò quan trọng trong việc duy trì kích thích ổn định và bảo vệ hệ thống khỏi các lỗi điện.

Thông số kỹ thuật

• Tương thích hệ thống: Hệ thống kích thích GE EX2100.

• Loại bo mạch: Bo mạch khuếch đại xung kích hoạt cổng (EHPA).

• Mô-đun liên quan: ESEL (Logic kích thích tĩnh Exciter).

• Xung kích hoạt cổng: 6 (để điều khiển tối đa sáu SCR).

• Điện áp nguồn cung cấp: 24 VDC danh định.

• Phạm vi điện áp đầu vào: 10 VDC đến 30 VDC.

• Điện áp đầu vào (từ EPDM): 125 VDC danh định.

• Mức tiêu thụ điện điển hình: 8 W, tùy thuộc vào tải.

• Phạm vi nhiệt độ: Hoạt động từ -40°C đến +70°C.

• Giao diện truyền thông: RS-232, RS-485, Modbus RTU/ASCII.

• Tính năng bảo vệ: Quá dòng, quá áp, ngắn mạch, đảo cực.

• Giám sát môi trường: Cảm biến lưu lượng không khí và nhiệt độ.

• Nhiễu điện từ: Kháng cao (thiết kế chống nhiễu EMI).

• Kích thước: 16 cm × 16 cm × 12 cm.

• Weight: 0.8 kg.

Tính năng

• Điều khiển xung cổng chính xác cho hoạt động SCR ổn định.

• Giám sát nâng cao dòng điện dẫn, luồng không khí và nhiệt độ.

• Cơ chế bảo vệ tích hợp để ngăn ngừa quá nhiệt và lỗi hệ thống.

• Cảm biến quạt tích hợp để tối ưu hiệu suất làm mát.

• Tương thích liền mạch với hệ thống điều khiển kích thích GE EX2100.