AMAT 0041-75950 Réacteur de dépôt chimique en phase vapeur

Description

L'AMAT 0041-75950 est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), conçu comme un réacteur de chauffage ou de refroidissement à température contrôlée pour le dépôt de couches minces. Il est utilisé pour déposer des films conformes et uniformes sur divers substrats. Le réacteur est constitué d'une chambre de réaction enfermée dans un récipient scellé sous vide, permettant un contrôle thermique précis et un transfert de matière efficace. Cet équipement fonctionne dans une plage de température allant de la température ambiante à 1 000 °C, permettant le dépôt d'une variété de matériaux en couches minces.

Caractéristiques

• Modèle: 0041-75950
• Fabricant : Matériaux appliqués (AMAT)
• Type : Réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
• Plage de température : température ambiante jusqu'à 1 000 °C
• Substrats compatibles : Silicium, saphir, quartz, verre
• Matériaux de dépôt : nitrure de silicium, dioxyde de silicium, nitrure d'aluminium, etc.
• Méthodes de chauffage : bombardement électronique, chauffage par induction et autres sources

Caractéristiques

• Chambre à température contrôlée : la chambre de réaction est conçue pour un contrôle thermique précis, prenant en charge les fonctionnalités de chauffage et de refroidissement pour un dépôt de film optimal.
• Système de contrôle des gaz : une unité de contrôle des gaz fournit une quantité précise de gaz à la chambre de réaction pendant le processus de dépôt, garantissant un contrôle précis de la qualité du film mince.
• Source de dépôt : la source de dépôt fournit un apport contrôlé de matériau à la chambre de réaction, où il est déposé sur le substrat.
• Capteurs de chauffage polyvalents : le réacteur est équipé de capteurs magnétiques chauffés ou refroidis, capables d'utiliser diverses méthodes de chauffage telles que le bombardement électronique et le chauffage par induction.
• Compatibilité avec plusieurs matériaux : le réacteur est conçu pour déposer des films sur une large gamme de substrats, notamment le silicium, le saphir, le quartz et le verre.
• Matériaux à couches minces : il peut déposer une variété de films minces tels que le nitrure de silicium, le dioxyde de silicium et le nitrure d'aluminium, ce qui le rend polyvalent pour différentes applications.
• Conception conviviale : le réacteur est doté d'une interface informatique intuitive et offre des options de fonctionnement automatisées et manuelles pour plus de commodité.
• Contrôle précis : il permet un contrôle précis de la température, du débit de gaz et des taux de dépôt, ce qui le rend idéal pour une large gamme d'applications dans les industries des semi-conducteurs, de l'optoélectronique et de la photomécanique.
• Conception mécanique robuste : Construit avec des matériaux durables et une conception mécanique solide, le réacteur assure un fonctionnement sûr et fiable.